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EGAN®FET電気特性

この論文では、イーガンフェットの基本的な電気特性を説明し、シリコンモスフェットと比較します。これら2つのテクノロジーの類似性と相違点を十分に理解することは、既存の電力変換システムをどれだけ改善できるかを理解するために必要な基盤です。
すべての半導体には、その機能に制限があります。これらの制限は通常、デバイスのデータシートで目立つように表現されており、隠された品質や信頼性の問題を抱えていないデザインを作成する方法に関するデザイナーへのガイドとして機能します。
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ラング: ENG
タイプ: Whitepaper 長さ: 9ページ

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