EPAD MOSFETアレイを備えた超低電圧およびナノパワー回路の新しいデザインコンセプト
EPAD MOSFETのこの紹介では、ゼロしきい値が作成された、拡張モード、枯渇モードを含む、ゲートしきい値を正確に設定したデバイスの幅広い選択について説明します。さらに、これらのデバイスを実用的なレベルで使用する方法を説明するために、新しい回路設計が提示されています。提示された短い回路の説明は、回路設計について考える際に新しい方法を刺激することを目的としており、これらの新しいデバイスを実装して、達成不可能または非常にありそうもない結果を達成する方法です。
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