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EGAN FETベースのバックコンバーターによるベンチマークDC-DC変換効率

高出力密度と高出力を必要とするが、電気分離を必要としないアプリケーションの場合、バックコンバーターは長年にわたって主力トポロジでした。過去数年にわたるバックコンバーターの改善は、Power Mosfetの鎮静スイッチング速度によって制限されています。
このPaperepcは、Egan Fetsが新しいパフォーマンスのスペクトルを解き放つことができることを示しています。これは、大幅な電力変換システムのコストとパフォーマンスの改善に変換できるものです。
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ラング: ENG
タイプ: Whitepaper 長さ: 8ページ

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